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Diode mit einem zwischen dem Anodengebiet (1) und dem Kathodengebiet (2) liegenden, n-leitenden Mittelgebiet (7) schwächerer Dotierung, bei der das Mittelgebiet (7) eine stärker dotierte Stop-Zone (10) aufweist, in die eine p-leitende Basiszone (11) eingefügt ist, und bei der das Kathodengebiet (2) derart in die Basiszone (11) eingefügt ist, daß es in lateraler Richtung allseitig von dieser umgeben ist.
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