| 发明名称 |
Passivation of a semiconductor device. |
| 摘要 |
Zur Passivierung eines Halbleiterbauelements wird ein Siliziumsubstrat (1) mit einer SIPOS-Schicht (2) und einer PSG-Schicht 4) bedeckt. Vorzugsweise wird die PSG-Schicht mit Bor dotiert (BPSG-Schicht). |
| 申请公布号 |
EP0347518(A1) |
申请公布日期 |
1989.12.27 |
| 申请号 |
EP19890101395 |
申请日期 |
1989.01.27 |
| 申请人 |
ASEA BROWN BOVERI AG |
发明人 |
STOCKMEIER, THOMAS |
| 分类号 |
H01L21/314;H01L21/316;H01L23/29;H01L23/31 |
主分类号 |
H01L21/314 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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