| 发明名称 |
TREATING DEVICE OF COMPOUND SEMICONDUCTOR HAVING HIGH DISSOCIATION PRESSURE |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH01317186(A) |
申请公布日期 |
1989.12.21 |
| 申请号 |
JP19880146337 |
申请日期 |
1988.06.14 |
| 申请人 |
MITSUBISHI METAL CORP |
发明人 |
SASA KOICHI;SHIRATA TAKAHARU |
| 分类号 |
C30B15/00;C30B29/40;H01L21/208 |
主分类号 |
C30B15/00 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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