| 摘要 |
Un nouveau type de matériau semi-conducteur est constitué d'un alliage de beta-SiC/carbure métallique de formule générale Siw(métal 1)x(métal 2)y(métal 3)z C, où w+x+y+z = 1 et 1>w>0. Les métaux sont choisis dans le groupe composé de Ti, Hf, Zr, V, Ta, Mo, W et Nb, Ti, Hf, et Zr étant préférés. Par un choix approprié des proportions de carbure métallique et de SiC, la bande interdite de l'alliage peut être adaptée spécialement à n'importe quel niveau souhaité entre les bandes interdites du carbure métallique et du SiC. Des dispositifs semi-conducteurs sont formés de préférence par croissance épitaxiale d'une couche du nouvel alliage sur un substrat (6) présentant une structure cristalline du type beta-SiC ou TiC. Outre le fait qu'ils conservent les avantages de du beta-SiC à bande interdite unique alliés à certaines autres propriétés, les nouveaux alliages permettent la mise en oeuvre de divers dispositifs électriques qui ne peuvent être réalisés avec du beta-SiC, et présentent également un potentiel pour des surstructures pliées en bande et destinées à des détecteurs infrarouges et à des lasers. |
