首页
产品
黄页
商标
征信
会员服务
注册
登录
全部
|
企业名
|
法人/股东/高管
|
品牌/产品
|
地址
|
经营范围
发明名称
BUFFER TYPE GAS-BLAST CIRCUIT-BREAKER
摘要
申请公布号
JPH01313826(A)
申请公布日期
1989.12.19
申请号
JP19880144477
申请日期
1988.06.10
申请人
MEIDENSHA CORP
发明人
TAKASHIMA TAMOTSU;TAKI IZUMI
分类号
H01H33/91
主分类号
H01H33/91
代理机构
代理人
主权项
地址
您可能感兴趣的专利
用于多相电解质流控制之储存槽;RESERVOIR FOR MULTIPHASE ELECTROLYTE FLOW CONTROL
光电转换元件、色素增感太阳电池及用于其的金属错合物色素;PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT, PIGMENT-SENSITIZED SOLAR CELL AND METAL COMPLEX PIGMENT USED IN THE SAME
有机薄膜的形成方法及有机半导体装置的制造方法,以及藉此所得之可挠性有机半导体装置;A METHOD OF FORMING AN ORGANIC SEMICONDUCTOR THIN FILM AND A METHOD OF MANUFACTURING AN ORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICE AS WELL AS A FLEXIBLE ORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICE
磁阻效应元件之制造方法
一种磊晶制造热电材料层之方法;METHOD FOR EPITAXIAL GROWTH OF THERMOELECTRIC MULTILAYER
LED导线架用铜合金板条;COPPER ALLOY STRIP FOR LEAD FRAME OF LED
光半导体装置之制造方法、系统、制造条件决定装置及制造管理装置
具紫外光吸收层之薄膜电晶体;THIN FILM TRANSISTOR WITH UV LIGHT ABSORBER LAYER
太阳电池模组
用于TFT之金属氧化物半导体之缓冲层;BUFFER LAYERS FOR METAL OXIDE SEMICONDUCTORS FOR TFT
半导体装置及其制造方法;SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME
具有汲极在顶部的功率电晶体及其形成方法;POWER TRANSISTOR HAVING A DRAIN AT THE TOP AND FORMING METHOD THEREOF
碳掺杂半导体元件;CARBON DOPING SEMICONDUCTOR DEVICES
发光结构;LIGHT-EMITTING STRUCTURE
晶圆级阵列相机及其制造方法;WAFER-LEVEL ARRAY CAMERAS AND METHODS FOR FABRICATING THE SAME
半导体非挥发性记忆体;SEMICONDUCTOR NONVOLATILE MEMORY
用于射频多晶片积体电路封装的电磁干扰外壳;ELECTROMAGNETIC INTERFERENCE ENCLOSURE FOR RADIO FREQUENCY MULTI-CHIP INTEGRATED CIRCUIT PACKAGES
具金属柱组及导电孔组之基板及具金属柱组及导电孔组之封装结构;SUBSTRATE HAVING PILLAR GROUP AND VIA GROUP AND SEMICONDUCTOR PACKAGE HAVING PILLAR GROUP AND VIA GROUP
电路结构及制造具有增强之接触通孔电性连接的方法;CIRCUIT STRUCTURES AND METHODS OF FABRICATION WITH ENHANCED CONTACT VIA ELECTRICAL CONNECTION
晶圆电镀镍金产品及其制备方法