| 发明名称 |
PROCESSO PER LA FABBRICAZIONE DISTRUTTURE INTEGRATE INCLUDENTI CELLE DI MEMORIA NON VOLATILI CON STRATI DI SILICIO AUTOALLINEATI ED ASSOCIATI TRANSISTORI. |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
IT1213249(B) |
申请公布日期 |
1989.12.14 |
| 申请号 |
IT19840023737 |
申请日期 |
1984.11.26 |
| 申请人 |
SGS ATES COMPONENTI ELETTRONICI S.P.A.ORA SGS THOMSON MICROELECTRO- |
发明人 |
DANIELE CANTARELLI;GIUSEPPE CRISENZA;PIERANGELO PANSANA |
| 分类号 |
H01L21/8247;H01L27/105;H01L27/115;H01L29/788;H01L29/792;(IPC1-7):H01L/ |
主分类号 |
H01L21/8247 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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