| 摘要 |
<p>Un dispositif à mémoire RAM dynamique avec DRAM (mémoire RAM dynamique) (10) comprend une unité de contrôle (22) détectant à quel moment des accès à la mémoire sont nécessaires pour la lecture, l'écriture ou la régénération. Cette unité (22) commande un circuit (26) de commande de tension fournissant une tension de régime (par exemple +5v) à la DRAM (10), mais commute la tension sur un niveau bas (par exemple 0,5v) dans les intervalles entre les accès. Le niveau bas est tel que le courant pris par le DRAM (10) est sensiblement nul.</p> |
