OPTICALLY FLAT SURFACES ON PROCESSED SILICON WAFERS

摘要

L'invention concerne un procédé de production de tranches semi-conductrices fines optiquement plates (12) liées à un substrat (16). La tranche (12) est liée sans toucher la surface supérieure de la tranche (12). De même, la liaison est créée sans utiliser de pression. Une liaison électrostatique ou une liaison par contact, voire les deux, peuvent être utilisées. Après avoir effectué la liaison de la tranche (12), celle-ci est polie jusqu'à obtenir l'épaisseur et la surface plate désirées. Après la liaison par contact et le polissage, la tranche (12) peut subir un traitement ultérieur. La tranche peut alors être liée par contact à un substrat final (34) ou être liée électrostatiquement sur un substrat final (42). La technique de liaison par contact peut également être utilisée comme moyen pour maintenir la tranche (12) lors d'une photolithographie de précision. La surface optiquement plate obtenue permet des rendements améliorés par rapport aux moyens conventionnels pour assujettir les tranches lors d'une photolithographie. La technique de liaison électrostatique permet de produire des tranches de silicium extrêmement minces et optiquement plates.