NOVEL HIGH-SPEED INTEGRATED HETEROSTRUCTURE TRANSISTORS, PHOTODETECTORS, AND OPTOELECTRONIC CIRCUITS

摘要

Le circuit intégré plan à hétérostucture de vitesse élevée décrit comprend un photodétecteur plan (30) ainsi qu'un transistor (constitué soit par un transistor à effet de champ dopé par modulation (50) soit par un transistor bipolaire p-n-p latéral (120)). Le photodétecteur plan (30) comporte une couche de confinement inférieure (12) de matériau de grande largeur de bande, une couche enfouie fortement dopée d'un premier type de conductivité (14) sur la couche de confinement inférieure, une couche à indice de réfraction supérieure relativement non dopée (16) recouvrant la couche enfouie (14), une couche de confinement supérieure (18) de matériau à plus grande largeur de bande présentant un indice de réfraction inférieur, une première région de contact verticale (32) d'un premier type de conductivité qui s'étend vers le bas pour établir un contact électrique avec la couche enfouie, ainsi qu'une seconde région de contact (34) d'un second type de conductivité espacée latéralement de la première région de contact (32) et s'étendant à travers la couche de confinement supérieure (18) et à travers une partie de la couche non dopée (16). En raison de la différence des indices de réfraction de la région non dopée par rapport à la région dopée et du matériau à grande largeur de bande par rapport au matériau à petite largeur de bande, l'émission de la lumière dirigée dans l'une des extrémités du photodétecteur (30) est restreinte à la fois latéralement à la couche non dopée (16) où elle est absorbée. Une séparation de charge se produit lorsque les porteurs de première conductivité sont recueillis au niveau de la première région de contact (32) et de la couche enfouie (14) et lorsque les porteurs de seconde conductivité sont recueillis au niveau de la seconde région de contact.