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Un procédé de déposition thermique en phase gazeuse par procédé chimique permet de former des films de nitrure de silicium et de dioxyde de silicium sur un substrat, et se caractérise par les étapes suivantes: a) introduction de di-tert-butylsilane et d'au moins un autre gaz réactif, capable de réagir avec di-tert-butylsilane pour former le nitrure de silicium ou le dioxide de silicium, dans une zone de réaction de déposition en phase gazeuse par procédé chimique contenant ledit substrat sur lequel doit être formé le film de nitrure de silicium ou le film de dioxyde de silicium; b) maintien de la température de ladite zone et dudit substrat entre 450°C environ et 900°C; c) maintien de la pression dans ladite zone entre 0,1 Torr environ et 10 Torr environ; et d) passage desdits gaz pour les mettre en contact avec ledit substrat pendant une durée suffisamment longue pour former un film de nitrure de silicium ou de dioxyde de silicium sur le substrat. |
