| 摘要 |
L'invention concerne un procédé et un appareil de détection d'un rayonnement infra-rouge. L'appareil comprend un substrat (12) ayant des circuits intégrés de lecture et de traitement de signaux (14). Le substrat (12) est constitué en un matériau sélectionné dans le groupe comprenant le silicium, l'arséniure de gallium ou le germanium. Une première couche semi-conductrice (28) est développée sur le substrat (12) en un matériau sélectionné dans le groupe comprenant le mercure-cadmium-tellurure, le mercure-zinc-tellurure, le mercure-cadmium-séléniure, le mercure-zinc-séléniure, le mercure-cadmium-sulfure, le mercure-zinc-sulfure, le plomb-étain-tellurure, le plomb-étain-séléniure, le plomb-étain-sulfure, l'indium-arséniure-antimoniure, le gallium-indium-antimonure, ou le gallium-antimoniure-arséniure. Une seconde couche semi-conductrice (30) est ensuite développée sur la première couche semi-conductrice (28). |
