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发明名称 METHOD FOR MANUFACTURING AN EDGE MASKING OF GATE ELECTRODES OF MOS-TRANSISTORS HAVING LOW DOPED DRAIN CONNECTION ZONES
摘要
申请公布号 EP0240781(A3) 申请公布日期 1989.12.06
申请号 EP19870103847 申请日期 1987.03.17
申请人 SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT 发明人 ENDERS, GERHARD, DIPL.-PHYS.;MOHR, ERNST-GUNTHER, DIPL.-PHYS.
分类号 H01L27/092;H01L21/336;H01L21/8238;H01L29/78;(IPC1-7):H01L29/60;H01L21/285;H01L27/08 主分类号 H01L27/092
代理机构 代理人
主权项
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