| 主权项 |
1﹒由氢化四卤乙烯C2Cl4─xFX(其中,X=0-3)制造1,1,1─三氟二氯乙烷和1,1,1,2─四氟─氯乙烷的方法,其包括在气态,约300─400℃温度下,令四卤乙烯及HF与含有至少一氧化态大于0之金属的催化剂相接触,所述金属系选自铬,锰,镍和钴,前述金属系在基本上由铝,氧和氟所组成之载附体上,其比例是为使得氟含量相当于催化剂组成物之至少90重量%(金属除外)之AlF3含量,所述AlF3含量系由使用HF预处理而制成。2﹒如申请专利范围第1项所请之方法,其中四卤己烯是为四氯乙烯。3﹒如申请专利范围第1项所请之方法,其中催化剂含有约0﹒02至约20重量%以二价氧化物表示之金属。4﹒如申请专利范围第1项所请之方法,其中催化剂含有约0﹒1至约5重量%以二价氧化物表示之金属。5﹒如申请专利范围第1,2或3项所请之方法,其中HF和四卤乙烯系在约1/1至约20/1莫耳比,给300℃至约400℃之温度下接触约5至100秒钟。6﹒如申请专利范围第4项所请之方法,其中四卤乙烯转化成氟化产物之转化率介于约30%至95%间。7﹒如申请专利范围第1项所请之方法,其中金属系选自锰,镍和钴。8﹒如申请专利范围第6项所请之方法,其中金属系为钴。9﹒如申请专利范围第4项所请之方法,其中温度,HF对四卤乙烯之莫耳比以及接触时间系经控制以产生CF3CHCl2含量大于CF3CHCLF之产物流,且CF3CHCl2和CF3CHClF之综合总含量大于产物流中CF3CHF2之含量。10﹒如申请专利范围第8项所请之方法,其中产物流中之CF3CHF2数量小于10%。11﹒如申请专利范围第1项所请之方法,其又包括再循环至少一部份所产生之CF3CHCl2产物至接触步骤中以供转化成另外的CF3CHClF之步骤。 |
