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PROCEDIMIENTO DE ENMASCARAMIENTO PARA LA PRODUCCION DE INTERCONEXIONES EN TECNOLOGIA DE CAPA FINA. EL PROCEDIMIENTO TIENE POR OBJETO CONSEGUIR EN UN SUSTRATO (1) UN INTERCONEXIONADO DE ALTA DENSIDAD Y ALTA RESOLUCION CON UNA RESISTIVIDAD BAJA EN EL QUE SE INTEGRAN RESISTENCIAS DE ELEVADA ESTABILIDAD. QUE INCLUYE UNA FASE (2) DE LIMPIEZA DEL SUSTRATO (1); UNA FASE (3) DE METALIZACION EN LA QUE SE DEPOSITAN TRES CAPAS (16, 17 Y 18); UNA FASE DE ENMASCARAMIENTO NEGATIVO (5) PARA PROTEGER LAS PARTES EN LAS QUE NO SE DEBE EFECTUAR NINGUNA CONEXION; UNA FASE (6) DE CRECIMIENTO GALVANICO EN LA QUE SE DEPOSITA UNA CAPA EN LOS LUGARES NO PROTEGIDOS POR EL ENMASCARAMIENTO; UNA FASE (7) DE ELIMINACION DE LA MASCARA; UNA FASE (8) DE ATAQUES QUIMICOS PARA ELIMINAR LAS TRES CAPAS DE METALIZACION (16, 17 Y 18) EN LA PARTE CORRESPONDIENTE DEL ENMASCARAMIENTO SUPRIMIDO; UNA FASE (11) DE ENMASCARAMIENTO POSITIVO SOBRE EL CRECIMIENTO GALVANICO; UNA FASE (12) DE ATAQUES QUIMICOS PARA SUPRIMIR EL CRECIMIENTO GALVANICO Y LA PRIMERA METALIZACION (22 Y 18) Y LA CAPA DE METALIZACION SIGUIENTE (17), QUEDANDO UNA CAPA (16) SOBRE EL SUSTRATO (1), DETERMINANDOSE UNA RESISTENCIA.
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