Method of producing monocrystalline semiconductor members with layers of respectively different conductance,申请号US19650424149-传众专利搜索

发明名称	Method of producing monocrystalline semiconductor members with layers of respectively different conductance
摘要
申请公布号	US3359143(A)	申请公布日期	1967.12.19
申请号	US19650424149	申请日期	1965.01.07
申请人	SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT	发明人	HEYWANG WALTER;SIRTL ERHARD
分类号	C30B25/22;H01L21/00	主分类号	C30B25/22
代理机构		代理人
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