| 发明名称 |
MAGNETICALLY ENHANCED RIE PROCESS AND APPARATUS |
| 摘要 |
Le procédé et l'appareil d'attaque décrits utilisent un nouveau moyen d'amélioration magnétique et un plasma de brome moléculaire sensiblement pur pour réaliser, selon un mode désiré, un certain nombre d'applications importantes nécessitant l'attaque de silicium monocristallin et polycristallin. |
| 申请公布号 |
WO8911729(A1) |
申请公布日期 |
1989.11.30 |
| 申请号 |
WO1989US01892 |
申请日期 |
1989.05.03 |
| 申请人 |
UNIVERSITY OF HOUSTON - UNIVERSITY PARK |
发明人 |
WOLFE, JOHN, C.;EL-MASRY, AHMED, M.;FONG, FU-ON |
| 分类号 |
H01J37/34;H01L21/3065;H01L21/3213;(IPC1-7):H01J37/34;H01L21/302 |
主分类号 |
H01J37/34 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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