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发明名称 MANUFACTURE OF MOS FIELD-EFFECT TRANSISTOR
摘要
申请公布号 JPH01296669(A) 申请公布日期 1989.11.30
申请号 JP19880127425 申请日期 1988.05.25
申请人 SEIKO INSTR INC 发明人 INOUE SHIGETO
分类号 H01L29/78 主分类号 H01L29/78
代理机构 代理人
主权项
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