发明名称 | 成膜装置及其用它生产非晶硅化合物薄膜的方法 | ||
摘要 | 一种包括一高频涂敷电极和一接地电极的成膜装置。高频涂敷电极具有一带有峰和谷的不平坦表面。通过将硅基气体送进该装置,在高频涂敷电极和接地电极之间产生辉光放电应将基片放在产生辉光放电的环境中,而将非晶硅薄膜高速地、均匀地形成在基片上。 | ||
申请公布号 | CN1037551A | 申请公布日期 | 1989.11.29 |
申请号 | CN89101639.2 | 申请日期 | 1989.02.01 |
申请人 | 三井东圧化学株式会社 | 发明人 | 五十岚孝司;福田信弘 |
分类号 | C23C16/50;C23C16/24 | 主分类号 | C23C16/50 |
代理机构 | 中国专利代理有限公司 | 代理人 | 齐曾度 |
主权项 | 1、一种用于在基片上形成薄膜的装置,包括一高频涂敷电极和一接地电极,所说的高频涂敷电极是具有一带有凸峰和凹谷的不平坦表面。 | ||
地址 | 日本东京都 |