发明名称 Arrangement for reducing the piezo effects in a semiconductor material that contains at least one piezo effect-sensitive electric device, and method of making the same.
摘要 Das Halbleitermaterial (1) der Anordnung ist auf einem Trägermaterial (2) montiert, wobei nur ein Teil des Halbleitermaterials (1) mit dem piezoeffekt-empfindlichen elektrischen Bauelement (3) bzw. mit den piezoeffekt-empfindlichen elektrischen Bauelementen (3) belegt ist und wobei in einer Variante zwischen diesem Teil des Halbleitermaterials (1) und dem zugehörigen Trägermaterial (2) ein Zwischenraum (4) derart vorhanden ist, dass der Teil des Halbleitermaterials (1), der mit dem piezoeffekt-empfindlichen elektrischen Bauelement (3) bzw. mit den piezoeffekt-empfindlichen elektrischen Bauelementen (3) belegt ist, eine gemeinsame Auflagefläche zwischen Halbleitermaterial (1) und Trägermaterial (2) balkonartig überragt. Durch Vorhandensein des Zwischenraums (4) ergibt sich eine gewisse mechanische Isolation eines Teils des Halbleitermaterials (1). In diesem Teil entstehen nur kleine montagebedingte mechanische Spannungen und damit auch nur kleine Piezoeffekte im piezoeffekt-empfindlichen elektrischen Bauelement (3) bzw. in den piezoeffekt-empfindlichen elektrischen Bauelementen (3), wodurch deren negative Einflüsse auf die Langzeitstabilität einer aus diesen Bauelementen (3) hergestellten elektronischen Präzisionsschaltung stark reduziert werden.
申请公布号 EP0342274(A1) 申请公布日期 1989.11.23
申请号 EP19880121333 申请日期 1988.12.21
申请人 LGZ LANDIS & GYR ZUG AG 发明人 BEAT, HALG;RADIVOJE, POPOVIC
分类号 H01L41/02;G01L9/00;H01L43/04 主分类号 H01L41/02
代理机构 代理人
主权项
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