半导体器件的制造方法和系统

摘要

本文示出了一种改进的半导体器件的制作系统和方法。在此系统中，借助EOR系统和CVD系统的联合可以避免有害的溅射效应。在用联合系统淀积之前，在反应室内可以在基片上预形成一个子层，在不接触大气的情况再传递到用联合系统进行淀积的另一个反应室，以使得这样形成的结有良好的特性。

主权项

1.一用化学汽相反应制造半导体器件的方法，其特征在于：该方法包括下列步骤：引入一非产气体到一真空室的反应空间；使所述的非生产气体置于磁场中；对所述的非生产气体施加微波，以激励所述的非生产气体，以及在磁场存在的条件下给通过分解从所述的非生产气体中产生的带电粒子供能；引入一用于淀积碳化硅的生产气体至淀积空间；借助于所述赋能的带电粒子与所述生产气体混合，实现所述生产气体的化学汽相反应，随后在安置在所述的真空室中的一基片上淀积SixC1-x(0＜x＜1)半导体层。