| 发明名称 |
IC with recombination layer and guard ring separating VDMOS and CMOS or the like |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
US4881112(A) |
申请公布日期 |
1989.11.14 |
| 申请号 |
US19880196714 |
申请日期 |
1988.05.20 |
| 申请人 |
NISSAN MOTOR COMPANY, LIMITED |
发明人 |
MATSUSHITA, TSUTOMU |
| 分类号 |
H01L27/08;H01L21/18;H01L21/74;H01L21/76;H01L21/761;H01L21/762;H01L27/088;H01L27/092;H01L29/04;H01L29/78 |
主分类号 |
H01L27/08 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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