Method of fabricating a polysilicon thin film transistor,申请号US19890311219-传众专利搜索

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法人/股东/高管

发明名称	Method of fabricating a polysilicon thin film transistor
摘要
申请公布号	US4880753(A)	申请公布日期	1989.11.14
申请号	US19890311219	申请日期	1989.02.16
申请人	THE GENERAL ELECTRIC COMPANY, P.L.C.	发明人	MEAKIN, DOUGLAS B.;MIGLIORATO, PIERO
分类号	H01L29/78;H01L21/336;H01L29/49;H01L29/786	主分类号	H01L29/78
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