Method of manufacturing monolithic integrated multifunctional circuits.
摘要
<p>Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung monolithisch integrierter, multifunktionaler Schaltungen. Ein Schaltkreis wird im Substrat integriert und weitere mehrschichtige Halbleiterbauelemente und die entsprechenden elektrischen Zuleitungen werden auf dem Substrat übereinander angeordnet. Die mehrschichtigen Halbleiterbauelemente und die elektrischen Zuleitungen, werden aus einer epitaktisch gewachsenen Halbleiterschichtenfolge hergestellt.</p>
申请公布号
EP0340497(A1)
申请公布日期
1989.11.08
申请号
EP19890106580
申请日期
1989.04.13
申请人
LICENTIA PATENT-VERWALTUNGS-GMBH
发明人
KASPER, ERICH, DR.;KONIG, ULF, DR.;KUISL, MAXIMILIAM, DR.;LUY, JOHANN-FRIEDRICH, DR.