发明名称 | 专用于沉积大面积薄膜的平面磁控溅射源 | ||
摘要 | 一种专用于沉积大面积薄膜的平面磁控溅射源,其磷场由条状静止的外磁组件和能作往复运动的内磁组件产生,能对静止的大面积工件表面均匀地镀复阳光控制膜、低辐射膜、镜面膜及导电膜。适用于镀复大面积的工件,如大型建筑玻璃、汽车护栅、露天字牌、大型平面镜等。是一种靶树利用率高、耗能小、膜层均匀度高、投资少效益高的新型溅射源。 | ||
申请公布号 | CN1005733B | 申请公布日期 | 1989.11.08 |
申请号 | CN88100832.X | 申请日期 | 1988.02.10 |
申请人 | 浙江大学 | 发明人 | 王德苗;任高潮 |
分类号 | C23C14/36;C23C14/34 | 主分类号 | C23C14/36 |
代理机构 | 浙江大学专利代理事务所 | 代理人 | 连寿金 |
主权项 | 1、一种专用于沉积大面积薄膜的平面磁控溅射源,包括水冷器、磁场源、阴极靶及屏蔽罩,其特征在于:——水冷器由水冷套2及水冷背板构成,水冷器内设置有一个或多个加强筋3;——磁场源包括两个相平行的外磁组件Ia、Ib及两个或多个内磁组件IIa/IIb,其中外磁组件设置于水冷器2的外侧,内磁组件设置于水冷器2的内部并被加强筋3所分隔;——内磁组件呈一字排列,垂直于外磁组件并能沿平行于外磁组件Ia/Ib的方向作往复运动;——阴极靶11设置于水冷背板9上,当内磁组件运动时靶板的各部份依次受到等离子环的扫描刻蚀。 | ||
地址 | 浙江省杭州市玉泉 |