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发明名称 MANUFACTURING METHOD AND DEVICE FOR SUBMICRON MOSFET HAVING CHANNEL AREA ALONE DOPED FOR HIGH CONCENTRATION
摘要
申请公布号 KR1019890004425(B1) 申请公布日期 1989.11.03
申请号 KR1019860006926 申请日期 1986.08.20
申请人 发明人
分类号 主分类号
代理机构 代理人
主权项
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