| 发明名称 | CMOS/NMOS集成电路 | ||
| 摘要 | 集成电路的每个功能由一基本电路实现，如加法器(SM)，乘法器(m)，除法器(d)，比较器(K)、存贮器(SP)、移位寄存器(Sr)、模/数转换器(ad)、数/模转换器(da)或采样保持器(ah)、翻转触发器(f)、反相器(ic，id)或门(g)，其特征为将各功能所需的基本电路中子数(p)个制成CMOS基本电路(c)，其余子数q个制成增强型NMOS具有电流源的基本电路(N)，最好是以耗尽型晶体管为负载器件，并选择子数p，使CMOS基本电路(c)中传输延迟对供电电压的依赖性被NMOS基本电路(N)中传输延迟对供电电压的依赖性所补偿。 | ||
| 申请公布号 | CN1036864A | 申请公布日期 | 1989.11.01 |
| 申请号 | CN89101825.5 | 申请日期 | 1989.03.30 |
| 申请人 | 德国ITT工业公司 | 发明人 | 汉斯·尤根·加里;阿荷德·尤兰霍夫 |
| 分类号 | H01L27/06 | 主分类号 | H01L27/06 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人 | 杜日新 |
| 主权项 | 1、CMOS/NMOS集成电路(S)，具有，最好数字的，功能，每个功能由一基本电路实现，如加法器(SM)，乘法器(m)，除法器(d)，比较器(k)、存贮器(sp)、移位寄存器(sr)、模/数转换器(ad)、数/模转换器(da)或采样保持器(ah)、翻转触发器(f)、反相器(ic，id)或门(g)，其特征为将各功能所需的基本电路中子数(p)个制成CMOS基本电路(c)，其余子数q个制成增强型NMOS具有电流源的基本电路(N)，最好是以耗尽型晶体管为负载器件，并选择子数p，使CMOS基本电路(c)中传输延迟对供电电压的依赖性被NMOS基本电路(N)中传输延迟对供电电压的依赖性所补偿。 | ||
| 地址 | 联邦德国弗赖堡 | ||