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<P>L'invention concerne les mémoires électriquement programmables, et notamment les mémoires connues sous les appellations abrégées " EPROM ", " EEPROM ", " FLASH-EEPROM ".</P><P>Pour augmenter la capacité de stockage d'informations d'une mémoire, on propose de définir au moins trois (au lieu de deux) tranches de courant issu d'une cellule à laquelle on applique des tensions de lecture; ces tranches correspondent à n états de programmation possibles de la cellule. Des comparateurs COMP1, COMP2, COMP3 définissent une information stockée par exemple sous forme de 2 bits sur des sorties S1, S2. Mais, pour assurer une sécurité lors de la lecture malgré les incertitudes de programmation, on teste la cellule à l'aide de comparateurs additionnels COMP1A, COMP2A, COMP3A et si le courant de cellule mesurée pour un niveau de programmation déterminé parmi n est trop proche du seuil de courant qui définit le seuil de programmation à ce niveau, on déclenche une opération de programmation complémentaire de la cellule.</P>
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