Process for depositing conformal layers of tungsten onto semi-conductor substrates, for the production of integrated circuits.

摘要

Bei einem Verfahren zum konformen Abscheiden von Wolfram auf Halbleitersubstrate aus flüchtigen Wolframhalogenphosphanverbindungen, insbesondere beim Auffüllen von Kontaktlöchern in Isolationsschichten, wird die aus Wolfram bestehende ganzflächig auf dem Halbleitersubstrat abgeschiedene Metallschicht dadurch erzeugt, daß die festen Trihalogenphosphan-Wolframkomplexverbindungen bei Temperaturen unter 200°C verdampft und entweder thermisch bei Temperaturen unter 450°C, oder durch Plasmaaktivierung oder laserinduziert zersetzt werden. Als Komplexe werden verwendet W(PF3)6, W(PCl3)6, W(PF3)5L wie zum Beispiel W(PF3)5N2, W(PF3)4(η<4>-L) wie zum Beispiel W(PF3)4-1.5 Cyclooctadien oder W(PF3)3(η<6>-L) wie zum Beispiel W(PF3)3 C6H6. Das Verfahren erlaubt Kontaktlöcher, auch via holes, mit hohem Aspektverhältnis lunkerfrei mit Wolfram zu füllen und wird verwendet zur Herstellung von Mehrlagenverdrahtungen von höchstintegrierten Halbleiterschaltungen.