| 摘要 |
<p><P>L'invention concerne les photodétecteurs comportant, comme couche de détection principale une couche semiconductrice intrinsèque.</P><P>Contrairement à ce qui est fait habituellement, on dope le semiconducteur intrinsèque avec un matériau tendant à augmenter le gap du semiconducteur et non à le diminuer. On constate une amélioration de la sensibilité lorsque le détecteur est utilisé dans une bande de longueurs d'onde étroite appropriée.</P><P>C'est le cas en particulier si on dope une couche intrinsèque de silicium amorphe hydrogéné avec du carbone et si on cherche à détecter un rayonnement visible vert aux alentours de 550 nanomètres.</P></p> |
