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发明名称 METHOD FOR MANUFACTURING HIGH-BREAKDOWN VOLTAGE SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要
申请公布号 EP0263504(A3) 申请公布日期 1989.10.18
申请号 EP19870114619 申请日期 1987.10.07
申请人 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA 发明人 KOSHINO, YUTAKA C/O PATENT DIVISION;BABA, YOSHIRO C/O PATENT DIVISION;OHSHIMA, JIRO C/O PATENT DIVISION
分类号 H01L21/033;H01L21/22;H01L21/225;H01L21/331;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/73;(IPC1-7):H01L21/225;H01L21/265 主分类号 H01L21/033
代理机构 代理人
主权项
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