| 发明名称 |
HETEROEPITAXIAL GROWTH OF AL2O3 SINGLE CRYSTAL FILM ON SI SUBSTRATE BY REDUCE PRESSURE VAPOR GROWTH |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
JPH01261300(A) |
申请公布日期 |
1989.10.18 |
| 申请号 |
JP19880088241 |
申请日期 |
1988.04.12 |
| 申请人 |
TOUYOKO KAGAKU KK;TOYOHASHI GIJUTSU KAGAKU UNIV |
发明人 |
NAKAMURA TETSUO;ISHIDA MAKOTO;NAMIKI AKIRA;KANBA HIDETO |
| 分类号 |
C30B25/14;C23C16/40;C23C16/44;C23C16/448;C30B23/08;C30B29/20;H01L21/203;H01L21/205;H01L21/86 |
主分类号 |
C30B25/14 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
