| 发明名称 | 镓在硅台面管生产中的应用技术 | ||
| 摘要 | 一种镓在硅台面管生产中的应用技术，属于NPN型硅台面高反压管生产工艺。将抛光、氧化后的硅片置于扩散炉里进行开管扩镓，先采用低浓度镓掺杂，结深推移，后表面高浓度镓掺杂，两者在同一炉内连续完成以形成P型基区，在磷扩散再分布后再进行低温短时间补镓。镓杂质源由潮湿氢气携带。本发明工艺简单，弥补了已有工艺的不足，产品电参数有较大辐度提高，且一致性好。 | ||
| 申请公布号 | CN1036294A | 申请公布日期 | 1989.10.11 |
| 申请号 | CN88105238.8 | 申请日期 | 1988.04.02 |
| 申请人 | 山东师范大学 | 发明人 | 林玉松;李萍 |
| 分类号 | H01L21/225 | 主分类号 | H01L21/225 |
| 代理机构 | 山东省高等院校专利事务所 | 代理人 | 崔日新;李荣升 |
| 主权项 | 1、一种镓在硅台面管生产中的应用技术，将抛光、氧化后的硅片置于扩散炉里进行开管扩镓，本发明的特征是，先采用低浓度镓掺杂，结深推移，后表面高浓度镓掺杂，两者在同一炉内连续完成以形成P型基区，在磷扩散再分布后再进行低温短时间补镓。镓杂质源由潮湿氢气体携带。 | ||
| 地址 | 山东省济南市文化东路 | ||