对半导体材料进行热处理的工艺和设备

摘要

本发明推荐一种对半导体材料进行热处理的工艺方法和设备，它包括一隔热、全封闭加热的作业合，称之为“闭合”工艺，采用一种紧凑的炉体结构，在工艺过程一开始，作业室中就存有限定的工艺保护气氛，并能防止气体反向弥散，还采用带有可调的面间可冲洗的双管系统，即，采用所谓风冷“快速箱”。本发明特别适用于对半导体片进行氧化、扩散、淀积和热处理。

主权项

1、将半导体材料置于作业室中，对其进行热处理的工艺方法，其特征在于包括下述步骤： a)按照工艺步骤，将作业室的固定的加热装置升温至室温到350℃之间，依工艺顺序，使可调的加热装置保持在室温， b)以大流量惰性气体使作业室冷却， c)将半导体片装在支架系统上，将其插入作业管，并将其紧密地真空密封， d)用“软泵降压步骤”抽出作业室中的非限定气体，换以同类的限定的工艺气体混合物， e)接通可移动的加热装置，使作业室中形成均匀的温度分布，同时把冲洗用惰性气体流量调整到较低流量， f)在迅速地进行限定的气体替换后，开始执行工艺程序，并且这种气体交换一直持续到工艺结束， g)在工艺过程完成后，切断可移动加热装置的电源，将固定加热装置的温度降至400℃，到室温的任意范围，同时，把冲洗用惰性气体流量调整到大流量， h)在视工艺而定的等待时间之后，取出处理了的半导体片。