GATE STRUCTURE OF FIELD EFFECT TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURE,申请号JP19880082664-传众专利搜索

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发明名称	GATE STRUCTURE OF FIELD EFFECT TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURE
摘要
申请公布号	JPH01253969(A)	申请公布日期	1989.10.11
申请号	JP19880082664	申请日期	1988.04.04
申请人	MITSUBISHI ELECTRIC CORP	发明人	NAGAHAMA KOKI
分类号	H01L29/812;H01L21/285;H01L21/338;H01L29/80	主分类号	H01L29/812
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