DISPOSITIF ET PROCEDE DE MESURE THERMIQUE D'UN TRANSISTOR BIPOLAIRE EN FONCTIONNEMENT

摘要

L'invention concerne un dispositif pour mesurer la température atteinte par la jonction d'un transistor bipolaire fonctionnant en amplificateur classe C.

L'invention réside dans le fait que l'on mesure la variation de la tension Vbe du transistor amplificateur 3 à courant constant i en dehors des impulsions à amplifier à l'aide d'un oscilloscope 16. Le courant constant i, qui est fourni par un générateur 17, est aiguillé soit vers le transistor 3 en dehors desdites impulsions, soit vers le transistor FET 13 pendant lesdites impulsions. Comme la mesure de la variation de Vbe est proportionnelle à la variation de la température de la jonction, on peut en déduire la température atteinte par la jonction.

L'invention est applicable aux amplificateurs pour émetteurs radars.