| 发明名称 | 中子嬗变掺杂直拉硅的退火工艺 | ||
| 摘要 | 一种中子嬗变掺杂直拉硅的退火工艺，其工序是：将自然直拉硅单晶进行中子嬗变掺杂，清洗处理后，送入经过清洗处理的高温扩散炉内进行热退火。该工艺可与器件制造中的热工序结合，因此可以大大节省工时和能耗。经过此工艺处理的硅单晶可得到真实的少子寿命和准确的目标电阻率。用此硅片制备电子元器件，成品率和电参数均可大大提高。因此，可广泛用于中子嬗变掺杂直拉硅的热处理。 | ||
| 申请公布号 | CN1036049A | 申请公布日期 | 1989.10.04 |
| 申请号 | CN88101669.1 | 申请日期 | 1988.03.26 |
| 申请人 | 河北工学院 | 发明人 | 徐岳生;张维连;任丙彦;林秀俊;鞠玉林;吕淑求;崔德升 |
| 分类号 | C30B31/20;C30B33/00;H01L21/324;H01L21/477 | 主分类号 | C30B31/20 |
| 代理机构 | 天津市机械工业管理局专利事务所 | 代理人 | 李国茹;李凤 |
| 主权项 | 1、中子嬗变掺杂直拉硅的退火工艺，其工序是：将自然直拉硅单晶进行中子嬗变掺杂，其特征在于： ①先用氧和含氯气氛清洗扩散炉石英管和所用器皿； ②中子嬗变掺杂后的直拉硅单晶清洗处理后，送入在氧和含氯气氛保护下1000℃-1180℃的扩散炉内恒温1-2小时； ③随炉缓冷至800℃-850℃时恒温3-5分钟； ④从炉内取出，空气冷却。 | ||
| 地址 | 天津市红桥区丁字沽一号路 | ||