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发明名称 FORMATION OF SEMICONDUCTOR CRYSTAL LAYER
摘要
申请公布号 JPH01245509(A) 申请公布日期 1989.09.29
申请号 JP19880071847 申请日期 1988.03.28
申请人 TOSHIBA CORP 发明人 HIGASHINAKAGAHA IWAO;MIZUSHIMA ICHIRO
分类号 H01L21/20;H01L21/324 主分类号 H01L21/20
代理机构 代理人
主权项
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