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<P>Réacteur d'épitaxie pour traiter plusieurs plaquettes de matériau semi-conducteur en les exposant à un courant gazeux réactif, muni d'un support de type planétaire.</P><P>L'enceinte dans laquelle les gaz réactifs sont en contact avec les plaquettes 1 est constituée d'un corps cylindrique 19 d'axe vertical qui entoure au plus près le support planétaire 3, 4, 5, corps cylindrique sur les sections inférieure et supérieure desquels sont appliqués hermétiquement, respectivement un fond constitué d'une plaque 7, et un couvercle globalement plat 9, et un orifice de passage des gaz réactifs est situé au centre du couvercle, en face du centre du support planétaire. Cet orifice central sert à l'introduction des gaz réactifs et débouche dans l'enceinte par plusieurs entonnoirs concentriques 26, 27, 28, dont la partie évasée est tournée vers le bas.</P>
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