ELEMENT DE DETECTION D'INFRAROUGE A HETEROJONCTION ET DISPOSITIF DE FORMATION D'IMAGE PAR INFRAROUGE COMPORTANT UN TEL ELEMENT

摘要

Cet élément de détection d'infrarouge comprend une couche intermédiaire 2 d'un cristal mixte Si1 - x Gex formée sur un substrat 1 en Si, x ayant une valeur comprise entre 0 et 1. Cette couche intermédiaire est reliée au substrat par une hétérojonction formant une première barrière. Une couche de Si 3 est formée sur la couche intermédiaire et est reliée à celle-ci par une hétérojonction via une seconde barrière. Dans cette structure stratifiée, les première et seconde barrières créent dans une bande d'énergie de la couche intermédiaire un puits dans lequel sont stockées des charges soumises à l'excitation de la lumière infrarouge. La couche intermédiaire contient des impuretés réparties régulièrement et dont la concentration varie de façon monotone dans le sens de l'épaisseur de la structure stratifiée, cette variation créant dans la bande d'énergie de la couche intermédiaire un champ électrique interne qui augmente la probabilité du déplacement des charges excitées les faisant passer dans le substrat ou dans la couche de Si.