| 摘要 |
<p>Réacteur d'épitaxie pour traiter des plaquettes (1) de matériau semi-conducteur en les exposant à un courant gazeux réactif. Une paroi (8) disposée à faible distance de la plaquette ou du groupe de plaquettes qui est exposé au gaz réactif est une paroi double, avec un espace (34) très mince entre les deux parois, et cet espace est rempli d'un mélange dont la composition est réglable et dont, par conséquent, la conductibilité thermique peut être ajustée. Le mélange utilisé est un mélange d'hydrogène et d'argon, la proportion de chacun dans le mélange étant ajustable. La paroi intérieure (8) de la double paroi est une plaque de quartz et la paroi extérieure (9) est en métal.</p> |
