发明名称 HIGH BREAKDOWN VOLTAGE INSULATING FILM PROVIDED BETWEEN POLYSILICON LAYERS
摘要
申请公布号 EP0287031(A3) 申请公布日期 1989.09.20
申请号 EP19880105805 申请日期 1988.04.12
申请人 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA;TOSHIBA MICRO-COMPUTER ENGINEERING CORPORATION 发明人 MIKATA, YUUICHI C/O PATENT DIVISION;ISHIHARA, KATSUNORI
分类号 H01L21/28;H01L21/3205;H01L21/8247;H01L23/52;H01L29/423;H01L29/43;H01L29/49;H01L29/78;H01L29/788;H01L29/792;(IPC1-7):H01L29/60;H01L29/62 主分类号 H01L21/28
代理机构 代理人
主权项
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