| 发明名称 |
PROCESS FOR SUPPRESSING THE RISE OF THE BURIED LAYER OF A SEMICONDUCTOR DEVICE |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP0253059(A3) |
申请公布日期 |
1989.09.13 |
| 申请号 |
EP19870104097 |
申请日期 |
1987.03.20 |
| 申请人 |
HITACHI, LTD. |
发明人 |
SAWAHATA, YASUO;SAITO, RYUICHI;MOMMA, NAOHIRO |
| 分类号 |
H01L29/73;H01L21/265;H01L21/331;H01L21/74;H01L21/8234;H01L27/06;H01L29/10;H01L29/167;H01L29/78;(IPC1-7):H01L21/22;H01L21/82 |
主分类号 |
H01L29/73 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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