可关断的大功率半导体元件及其制造方法

摘要

一种具有隐藏式控制极结构及长沟道控制的场控晶闸管(FCTH)被提高可关断电流，其中在沟底上的控制极区域(8)掺杂，而进行P⁺与壁层(14)无关。 用此法减少控制极电阻，可提高控制极电流，不损害阴极指部(7)的控制及不增加正向电阻。

主权项

1、具有一个阳极(A)，一个阴极(K)及一个控制极(G)的场控晶闸管(FCTh)型的可关断大功率半导体元件，在其阳极与阴极之间包括：(a)一个P型导电阳极层(11)；(b)一个位于其上的n型导电沟道层(9)；及(c)多个在阴极侧交替布置的n型导电阴极区域(5)及p型导电控制极区域(8)；在其中：(d)阴极区域(5)被布置在由沟彼此隔开的阴极指部(7)上面；(e)控制极区域(8)延伸在沟底的上方；及(f)在沟壁区域中设置了附加的P型导电的、P掺杂的壁层(14)，它与控制极区域形成连接，并且在每个阴极指部(7)与沟层(9)那儿的区域构成了一个场效应可控的长沟道；其特征在于：(g)P型导电的控制极区域(8)进行了P+掺杂。