二氧化碲单晶体的生长技术

摘要

一种属于晶体生长技术的二氧化碲(TeO2)单晶体生长。其特征在于用坩埚下降法可生长多种切向和形状的单晶体。利用本技术可沿[100][001][110]方向并可沿其中任一方向生长方棒、椭圆形、菱形、板状及圆柱形晶体。所生长晶体可达(70～80)mm×(20～30)mm×100mm。本方法与一般提拉法比具有设备简单，不受提拉方向和切形限制，基本无污染等优点，而且晶体利用率可相应提高30～100％。

主权项

1.一种二氧化碲(Teo2)单晶的坩埚下降生长方法，其特征在于：(1)原料预烧；将光谱纯TtO2原料装入氧化铝瓷坩埚中，在坩埚下降炉内预处理，于700℃保温12～15小时，再快速冷却至常温；(2)准备籽晶切向和制作铂金坩埚；可选沿[110]、[001]、[100]、以及任一方向生长的籽晶；准备生长所需多种形状的铂金坩埚；(3)晶体的生长；A.装料：将所需切向的籽晶及预烧处理过的料装入所需形状的铂金坩埚内，密封；B.装炉：上述铂金坩埚装入陶瓷保护管内，其间空隙用耐火材料粉填实；C.升温：以每小时80-100℃速率升温至780-800℃；保温度1-4小时；D.生长晶体：按每小时0.2-0.8mm速率下降铂坩埚；下降结束后再以15-20℃/小时，降至低于100℃，切断电源，自然冷却。