| 发明名称 |
METHOD OF PRODUCING AN ISOLATION SEPARATING THE ACTIVE REGIONS OF A HIGHLY INTEGRATED CMOS CIRCUIT |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE3572086(D1) |
申请公布日期 |
1989.09.07 |
| 申请号 |
DE19853572086 |
申请日期 |
1985.12.05 |
| 申请人 |
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT BERLIN UND MUNCHEN |
发明人 |
BEINVOGL, WILLY, DR. |
| 分类号 |
H01L21/76;H01L21/82;H01L27/08;(IPC1-7):H01L21/76 |
主分类号 |
H01L21/76 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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