发明名称 FORMATION OF INSULATED-GATE FIELD-EFFECT TRANSISTOR HAVING LDD STRUCTURE
摘要
申请公布号 JPH01218068(A) 申请公布日期 1989.08.31
申请号 JP19880044005 申请日期 1988.02.26
申请人 RICOH CO LTD 发明人 MAARI KOUICHI
分类号 H01L21/336;H01L21/265;H01L29/78 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人
主权项
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