| 发明名称 |
METHOD OF CONVERTING SEMICONDUCTOR MATERIAL INTO HIGH MELTING POINT METAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURED BY UTILIZING THE METHOD |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH01218018(A) |
申请公布日期 |
1989.08.31 |
| 申请号 |
JP19880289032 |
申请日期 |
1988.11.17 |
| 申请人 |
INTERNATL BUSINESS MACH CORP <IBM> |
发明人 |
RAJIBU BUASANTO JIYOSHI |
| 分类号 |
C23C16/04;C23C16/14;H01L21/28;H01L21/285;H01L21/336;H01L21/768;H01L29/43;H01L29/78 |
主分类号 |
C23C16/04 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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