具过渡层的光接受体及其制备方法

摘要

一种具有过渡层的光接受体及其制作方法，涉及静电复印中的功能分离型非晶硅—非晶氮化硅光接受体及其制作。本发明的光接受体组成是：α—SiN_X∶H表面保护层，α—Si∶H光敏层，α—SiN_X∶H过渡层，α—SiN_X∶H传输层及金属铝衬底，(X为原子数之比)将其置于阴极上，用SiH₄，H₂，NH₃，B₂H₆等按一定配比的混合气体通入反应室，使衬底温度保持190-250℃，射频(表观)功率25W-60W，即可沉积各功能层。本发明可获高表面电压(≥±300V)及低的残余电压(≤±20V)。制作方法简便，省时，为普通沉积法的两倍。

主权项

1、一种结构功能分离型光接受体，其特征在于，A由下列各层组成 α-SiN_x：H作表面保护层 (101)， α-Si：H作光敏层        (102)， α-SiN_x：H作过渡层 (103)， α-SiN_x：H作传输层 (104)， (X为N/Si原子数之比：0.4～1.3) 金属铝作衬底(置于阴极上)  (105)； B，各层厚度是 d₁₀₁≥600，d₁₀₂≥1μm， d₁₀₃≥0.1μm， d₁₀₄≥2μm；