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发明名称 DYNAMIC SEMICONDUCTOR MEMORY WITH IMPROVED SENSING SCHEME
摘要
申请公布号 EP0254057(A3) 申请公布日期 1989.08.30
申请号 EP19870109031 申请日期 1987.06.24
申请人 NEC CORPORATION 发明人 KOISHI, KEIJI
分类号 G11C11/401;G11C7/06;G11C7/18;G11C11/406;(IPC1-7):G11C7/06;G11C7/00;G11C11/00 主分类号 G11C11/401
代理机构 代理人
主权项
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