| 摘要 |
<p>On a mis au point un matériau de tampon III-V produit par croissance à basse température de composés III-V par MBE (épitaxie par faisceau molécualire) ayant des propriétés uniques et désirables, notamment pour des dispositifs à semi-conducteurs III-V actifs de longueur de porte de l'ordre du sous-micron, serrés, tels que des HEMT, MESFET, MISFET et aussi pour des dispositifs de communication photoconducteurs ultra-rapides. Dans le cas du matériau III-V, l'arséniure de gallium, on fait croître le tampon dans des conditions de croissance stable d'arsenic, à une vitesse de croissance de 1 micron/heure, et à une température de substrat comprise de préférence entre 150° et environ 300°C. Le nouveau matériau est cristallin, hautement résistif, optiquement sensiblement inactif, et peut subir une surcroissance au moyen de couches actives III-V de haute qualité.</p> |
